概要：ポストシリコン材料として期待されているグラフェンの各種応用技術に関する研究を行っている。SiC上エピタキシャルグラフェンの層数を精密に制御して試料全体に単層グラフェンを形成することに成功した。

概要：発光材料および高周波大電力デバイス用材料として窒化物半導体が注目されその研究は大きく進展しているものの、適当な結晶成長用基板が安価で入手できないという問題は残されたままである。本講演では、この問題の解決のため我々のグループで進めてきた窒化物半導体基板作製法について紹介する。

概要：窒化ガリウム(GaN)はワイドバンドギャップ半導体として青色発光ダイオードなどの光電デバイスの他、高周波、高出力、低損失の電子デバイスへの応用も期待できる。本講演では、GaN系を用いたマイクロ整流用ショットキーダイオード、エンハンスメント型MOSFET、耐熱デバイス、液体センサなどの電子デバイスの研究と開発について紹介する。